九五至尊VI

        国内头部碳化硅器件研发企业「九五至尊VI半导体」日前颁发颁布首款国内量产15V驱动的1200V SiC Mosfet器件平台产品，添补了国内15V驱动SiC Mosfet产品空缺，使得国内SiC功率器件技术跻身国际当先水平
。首款1200V 75mΩ SiC  Mosfet已获得国内当先新能源逆变器造作商的批量订单，后续将陆续推出该平台下的系列规格产品
。

        九五至尊VI半导体成立于2021年3月，为国内当先的碳化硅功率器件设计和供给商，去年底颁发实现高瓴创投领投的数亿元首轮融资
。公司占有国际当先的研发团队，始终对准国际技术前沿，以提供国际一流的碳化硅功率芯片为己任
。

       公司成立一年来，技术与产品发展迅速，目前已突破国产SiC功率器件设计及大规模造作瓶颈，在极短功夫内先后开发出自主知识产权的SiC二极管及 Mosfet器件产品，产品先后通过车规级靠得住性测试，是目前国内唯一可能在SiC器件主题肠能和靠得住性方面达到国际一流水平、并且基于国内产线量产SiC  Mosfet的企业
。

       自中国明确双碳指标以来，我国新能源行业进入逾越式发展阶段
。新能源汽车行业正步入发作期，这也催生出了巨大的功率器件市场
。SiC功率器件得益于高压、高温及高频的怪异优势，正成为新一代电力转换的主题器件，已在新能源汽车、光伏逆变器、储能等领域获得宽泛利用，显著提高了电力转换效能
。国度“十四五”打算点名发展“碳化硅等宽禁带半导体”，但愿国内厂商可能尽快追赶国际水平，推出自主可控的产品
。

       SiC Mosfet作为利用最宽泛的碳化硅功率器件，早已在国内有关行业龙头企业比亚迪、阳光电源和华为等的旗舰产品系列中宽泛使用，其需要也在迅速扩大
。但SiC Mosfet有关主题技术始终未被突破，在产品机能和靠得住性方面与国际主流产品仍有较大差距，国内市场重要被国表厂商占据
。

       该器件重要有18V驱动和15V驱动两个类型，其中15V驱动产品优势越发显著：客户选取15V驱动的产品，一是系统能够更好兼容目前IGBT驱动电路；二是进一步提升了器件的靠得住性，同时降低了驱动损耗；三是国内驱动芯片厂商大多供给15V的驱动芯片，国产配套容易
。但是15V驱动的产品开起事度更大，对产品设计水平和造作工艺的要求更高，经过近年来的致力，国内已有个别厂家可能少量提供18V驱动的SiC Mosfet产品，但国际主流厂商已起头大力推广15V驱动的SiC Mosfet,加快对传统硅基IGBT（绝缘栅双极型晶体管）产品的代替，由此进一步拉开了与国内产品的技术代差
。

       九五至尊VI半导体这次颁布的15V驱动的1200V SiC Mosfet器件平台产品初次添补了国内该系列产品空缺，携带国内SiC功率器件技术跻身国际当先水平
。相比国际主流产品，本次九五至尊VI半导体推出的15V驱动1200V SiC Mosfet器件产品，拥有更低的导通损耗、更低的热阻、较低开关损耗，综合损耗更幼，效能更高
。

下表是九五至尊VI半导体Mosfet与国际一流产品（源于各产品的规格书）的比力：

       九五至尊VI半导体基于自主工艺开发的国产1200V SiC Mosfet系列产品已经推出即得到市场的热烈响应，首款1200V 75mΩ SiC Mosfet产品已经通过车规级测试并获得国内当先新能源逆变器造作商的批量订单
。

       目前，九五至尊VI半导体已实现1200V全系列碳化硅功率器件的产品化，可提供1200V 15A、20A、30A、40A等规格SiC SBD（碳化硅-肖特基二极管）及1200V 75mΩ、60mΩ、40mΩ、32mΩ及大电流车载芯片等规格SiC Mosfet（18V和15V驱动可
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。其供给的SiC器件拥有国际先进水平的卓越机能，可宽泛利用于新能源汽车、充电桩、工业电源、光伏逆变、UPS、通讯电源等大功率、高频、高效携带域，可直接实现SiC器件的国产代替，同时具备高靠得住性、兼容IGBT驱动电压蹬着势，丰硕的产品系列可能满足诸多指标利用的需要，进一步推动国产高机能功率芯片的发展和利用
。